Skip to main content
Global

4.11: مواد شیمی-فوتولیتوگرافی

  • Page ID
    216752
  • \( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \)

    \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)

    \( \newcommand{\dsum}{\displaystyle\sum\limits} \)

    \( \newcommand{\dint}{\displaystyle\int\limits} \)

    \( \newcommand{\dlim}{\displaystyle\lim\limits} \)

    \( \newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)

    ( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\)

    \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\)

    \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\)

    \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\)

    \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)

    \( \newcommand{\id}{\mathrm{id}}\)

    \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)

    \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\)

    \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\)

    \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\)

    \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\)

    \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\)

    \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\)

    \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\)

    \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\AA}{\unicode[.8,0]{x212B}}\)

    \( \newcommand{\vectorA}[1]{\vec{#1}}      % arrow\)

    \( \newcommand{\vectorAt}[1]{\vec{\text{#1}}}      % arrow\)

    \( \newcommand{\vectorB}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \)

    \( \newcommand{\vectorC}[1]{\textbf{#1}} \)

    \( \newcommand{\vectorD}[1]{\overrightarrow{#1}} \)

    \( \newcommand{\vectorDt}[1]{\overrightarrow{\text{#1}}} \)

    \( \newcommand{\vectE}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash{\mathbf {#1}}}} \)

    \( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \)

    \(\newcommand{\longvect}{\overrightarrow}\)

    \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)

    \(\newcommand{\avec}{\mathbf a}\) \(\newcommand{\bvec}{\mathbf b}\) \(\newcommand{\cvec}{\mathbf c}\) \(\newcommand{\dvec}{\mathbf d}\) \(\newcommand{\dtil}{\widetilde{\mathbf d}}\) \(\newcommand{\evec}{\mathbf e}\) \(\newcommand{\fvec}{\mathbf f}\) \(\newcommand{\nvec}{\mathbf n}\) \(\newcommand{\pvec}{\mathbf p}\) \(\newcommand{\qvec}{\mathbf q}\) \(\newcommand{\svec}{\mathbf s}\) \(\newcommand{\tvec}{\mathbf t}\) \(\newcommand{\uvec}{\mathbf u}\) \(\newcommand{\vvec}{\mathbf v}\) \(\newcommand{\wvec}{\mathbf w}\) \(\newcommand{\xvec}{\mathbf x}\) \(\newcommand{\yvec}{\mathbf y}\) \(\newcommand{\zvec}{\mathbf z}\) \(\newcommand{\rvec}{\mathbf r}\) \(\newcommand{\mvec}{\mathbf m}\) \(\newcommand{\zerovec}{\mathbf 0}\) \(\newcommand{\onevec}{\mathbf 1}\) \(\newcommand{\real}{\mathbb R}\) \(\newcommand{\twovec}[2]{\left[\begin{array}{r}#1 \\ #2 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\ctwovec}[2]{\left[\begin{array}{c}#1 \\ #2 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\threevec}[3]{\left[\begin{array}{r}#1 \\ #2 \\ #3 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\cthreevec}[3]{\left[\begin{array}{c}#1 \\ #2 \\ #3 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\fourvec}[4]{\left[\begin{array}{r}#1 \\ #2 \\ #3 \\ #4 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\cfourvec}[4]{\left[\begin{array}{c}#1 \\ #2 \\ #3 \\ #4 \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\fivevec}[5]{\left[\begin{array}{r}#1 \\ #2 \\ #3 \\ #4 \\ #5 \\ \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\cfivevec}[5]{\left[\begin{array}{c}#1 \\ #2 \\ #3 \\ #4 \\ #5 \\ \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\mattwo}[4]{\left[\begin{array}{rr}#1 \amp #2 \\ #3 \amp #4 \\ \end{array}\right]}\) \(\newcommand{\laspan}[1]{\text{Span}\{#1\}}\) \(\newcommand{\bcal}{\cal B}\) \(\newcommand{\ccal}{\cal C}\) \(\newcommand{\scal}{\cal S}\) \(\newcommand{\wcal}{\cal W}\) \(\newcommand{\ecal}{\cal E}\) \(\newcommand{\coords}[2]{\left\{#1\right\}_{#2}}\) \(\newcommand{\gray}[1]{\color{gray}{#1}}\) \(\newcommand{\lgray}[1]{\color{lightgray}{#1}}\) \(\newcommand{\rank}{\operatorname{rank}}\) \(\newcommand{\row}{\text{Row}}\) \(\newcommand{\col}{\text{Col}}\) \(\renewcommand{\row}{\text{Row}}\) \(\newcommand{\nul}{\text{Nul}}\) \(\newcommand{\var}{\text{Var}}\) \(\newcommand{\corr}{\text{corr}}\) \(\newcommand{\len}[1]{\left|#1\right|}\) \(\newcommand{\bbar}{\overline{\bvec}}\) \(\newcommand{\bhat}{\widehat{\bvec}}\) \(\newcommand{\bperp}{\bvec^\perp}\) \(\newcommand{\xhat}{\widehat{\xvec}}\) \(\newcommand{\vhat}{\widehat{\vvec}}\) \(\newcommand{\uhat}{\widehat{\uvec}}\) \(\newcommand{\what}{\widehat{\wvec}}\) \(\newcommand{\Sighat}{\widehat{\Sigma}}\) \(\newcommand{\lt}{<}\) \(\newcommand{\gt}{>}\) \(\newcommand{\amp}{&}\) \(\definecolor{fillinmathshade}{gray}{0.9}\)

    پنجاه سال پیش، شخصی که علاقه مند به داشتن یک کامپیوتر بود، حدود 150 هزار دلار برای 16 مگابایت حافظه با دسترسی تصادفی پرداخت می کرد که حجمی به اندازه یک میز کوچک را اشغال می کرد. امروزه هر کس می تواند 60 برابر حافظه کامپیوتر را با 10 دلار خریداری کند و تراشه کوچک را در جیب پیراهن خود قرار دهد. تفاوت بین آن زمان و اکنون به دلیل پیشرفت در فوتولیتوگرافی است، فرایندی که تراشه های مدار یکپارچه ساخته می شوند.

    یک عکس یک چشم انداز دقیق از تراشه های سیلیکون را در یک مدار کامپیوتری نشان می دهد.
    شکل\(\PageIndex{1}\): ساخت مدار فوق نازک بر روی این تراشه رایانه ای به واکنش های شیمیایی آلی پلیمرهای خاص بستگی دارد. (اعتبار: «مدار مجتمع در میکروچیپ» توسط جان سالیوان/ویکی مدیا، دامنه عمومی)

    فوتولیتوگرافی با پوشش یک لایه SiO 2 بر روی یک ویفر سیلیکون و پوشش بیشتر با یک فیلم نازک (0.5-1.0 میکرومتر) از یک پلیمر آلی حساس به نور به نام مقاومت آغاز می شود. سپس از ماسک برای پوشاندن قسمت هایی از تراشه استفاده می شود که به مدار تبدیل می شوند و ویفر با نور UV تابش می شود. بخش های غیر ماسک پلیمر در هنگام تابش تغییر شیمیایی می کنند، که باعث می شود آنها محلول تر از بخش های ماسک و تابش نشده باشند. با شستن تراشه تابش شده با حلال، پلیمر حل شده به طور انتخابی از مناطق تابش شده حذف می شود و SiO 2 را در زیر قرار می دهد. این SiO 2 سپس با واکنش با اسید هیدروفلوئوریک به صورت شیمیایی از بین می رود و الگویی از SiO 2 با پوشش پلیمری را پشت سر می گذارد. شستشوی بیشتر پلیمر باقی مانده را حذف می کند، یک تصویر مثبت از ماسک را به شکل رگه های در معرض SiO 2 (شکل 1\(\PageIndex{2}\)) ترک می کند. چرخه های اضافی پوشش، پوشاندن و اچینگ سپس تراشه های تکمیل شده را تولید می کنند.

    یک بلوک زیر منبع نور دارای سه لایه، مقاومت، دی اکسید سیلیکون و آب سیلیکون با ماسک بالا است. ماسک در معرض قرار می گیرد و شسته می شود که منجر به سیلیکون اچ می شود و لایه مقاومت را حل می کند.
    شکل\(\PageIndex{2}\): طرح کلی فرآیند فوتولیتوگرافی برای تولید تراشه های مدار مجتمع.

    مقاومت پلیمری که در حال حاضر در ساخت تراشه استفاده می شود بر اساس سیستم دو جزئی دیازوکینون — نوولاک است. رزین Novolac یک پلیمر نرم و نسبتاً کم مولکولی است که از متیل فنل و فرمالدئید ساخته شده است، در حالی که دیازوکینون یک مولکول دو حلقه ای (دو حلقه) حاوی یک گروه دیازو = N) در مجاورت یک کتون کربونیل (C=O) است. مخلوط دیازوکینون - نوولاک در صورت تازه بودن نسبتاً نامحلول است، اما با قرار گرفتن در معرض نور ماوراlet بنفش و بخار آب، مؤلفه دیازوکینون برای تولید N 2 و یک اسید کربوکسیلیک تحت واکنش قرار می گیرد که می تواند با پایه رقیق شسته شود. فن آوری Novolac-Diazoquinone قادر به تولید ویژگی های کوچک به اندازه 0.5 میکرومتر (5 × 10-7 متر) است، اما پیشرفت های بیشتر در کوچک سازی هنوز در حال توسعه است.

    در آب، دیازونفتوکینون و رزین Novolac در حضور نور واکنش نشان می دهند و بنزن را تشکیل می دهند که به سیکلوپنتن متصل شده است و C 1 به اسید کربوکسیلیک متصل می شود. نیتروژن مولکولی محصول جانبی است.

    This page titled 4.11: مواد شیمی-فوتولیتوگرافی is shared under a CC BY-NC-SA 4.0 license and was authored, remixed, and/or curated by Divan Fard via source content that was edited to the style and standards of the LibreTexts platform.